მაგნეტრონული გაფრქვევის მეთოდით მენდელეევის სისტემის მე-3 ჯგუფის ნიტრიდების ფორმირება და მათი ოპტიკური თვისებების შესწავლა

ავტორი: ანა კურტანიძე
საკვანძო სიტყვები: მაგნეტრონული გაფრქვევა, მენდელეევის სისტემის მე-3 ჯგუფის ნიტრიდების ფორმირება
ანოტაცია:

განხილულია რეაქტიული მაგნეტრონული გაფრქვევის მეთოდით ფართო აკრძალული ზონის მქონე ნახევარგამტარების (მენდელეევის სისტემის III-ჯგუფის ნიტრიდები) გალიუმის ნიტრიდის (GaN), ალუმინის ნიტრიდის (AlN) და ინდიუმის ნიტრიდის (InN) მიღება და მათი ოპტიკური პარამეტრების კვლევა. ფირების მიღების ტექნოლოგიის სტიმულაციისა და მათი პარამეტრების გაუმჯობესების მიზნით ფორმირების პროცესში ხდებოდა მზარდი ფირის ზედაპირის დასხივება ულტრაიისფერი (უი) სინათლით. მიღებულ ფირებზე ჩატარდა რენტგენო სტრუქტურული ანალიზი, ზედაპირული ელექტრომიკროსკოპია, გაზომილ იქნა შთანთქმისა და გაშვების სპექტრები. ნაჩვენებია, რომ სტიმულირებულმა მაგნეტრონულმა გაფრქვევის მეთოდმა გააუმჯობესა მიღებული ნიტრიდის ფირების ოპტიკური პარამეტრები.