მემრისტორის მიღება და კვლევა გარდამავალ მეტალ Hf-ის ოქსიდური ფირების და TiN-ის გამოყენებით

ავტორი: Amiran Bibilashvili
თანაავტორები: ზურაბ ყუშიტაშვილი
საკვანძო სიტყვები: მემრისტორი, მაგნეტრონული გაფრქვევა
ანოტაცია:

განხილულია მახსოვრობის ელემენტის მემრისტორის მიღება, მის აქტიურ შრეში გარდამავალ მეტალ ჰაფნიუმის სრული (HfO2) და არასრული (HfX - x<2) ოქსიდთა და აქტიურ არეში კონტაქტად TiN-ის გამოყენებით. ოქსიდური ფირები ფორმირებულ იქნან ულტრაიისფერი (უი) სხივებით სტიმულირებული რეაქტიული მაგნეტრონული გაფრქვევის მეთოდით. შეიქმნა მემრისტორის მიღების ტექნოლოგიური მარშრუტი და მის საფუძველზე შესაბამისი ფოტოშაბლონი. მემრისტორის პარამეტრებზე საფენთან მისი აქტიური შრის საკონტაქტო მასალის გავლენის შესწავლისთვის გამოყენებულ იქნა ტიტანის ნიტრიდი, ხოლო ფართობის გავლენის შეწავლის მიზნით დამზადდა მემრისტორები 5 მკმ და 10 მკმ დიამეტრის სიდიდით. მემრისტორის ვოლტ-ამპერული მახასიათლებლების კვლევებიდან დადგინდა ასეთი მასალების გამოყენებით 5 მკმ-იანი მემრისტორის პარამეტრების დიდი უპირატესობა, რომელიც ცთომილების ფარგლებში ეთანადება მემრისტორის თეორიულ პარამეტრებს. მოცემულია რეკომენდაცია შემუშავებული ტექნოლოგიით მიღებული მემრისტორის ინტეგრალური მიკროსქემის (იმს) ელემენტებად და მიკრო და ნანონაწილაკის ხელსაწყოების დასამზადებლად გამოყენებაზე.